Grabado de silicio con plasma

 
En electrónica hay láminas delgadas de material semiconductor llamadas obleas. Estas obleas de semiconductores generalmente se elaboran mediante grabado de silicio y son ampliamente usadas en la producción de circuitos integrados y otros sistemas microelectromecánicos (MEMS). Estas partes son esenciales en casi todos los productos de la tecnología moderna, incluyendo computadoras, teléfonos celulares y otros dispositivos digitales caseros. El grabado de silicio en obleas es una etapa crucial en los procesos de producción de circuitos integrados, los cuales deben ser muy pequeños y delgados. La creación de los patrones necesarios sobre la superficie de estos dispositivos minúsculos sin dañarlos es una tarea difícil. Sin embargo, con ayuda de la tecnología de plasma, el grabado de silicio en obleas puede realizarse de manera muy efectiva.

Cómo se realiza el grabado de silicio

 
Para realizar el grabado de silicio requerido en la producción de circuitos integrados, Thierry usa un proceso llamado grabado iónico reactivo o RIE (por sus siglas en inglés). Este proceso es una forma diferente de grabado con plasma que combina plasma químicamente activo, como el XeF2, con partículas que producen mayor energía física que el plasma de argón. El grabado de silicio requiere un método más vigoroso. El RIE puede cumplir con esta tarea y grabar las microestructuras requeridas en las obleas de silicio que se emplean en la elaboración de circuitos integrados.
 
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