Grabado iónico reactivo

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El grabado iónico reactivo (RIE) es un proceso de grabado por plasma que agrega una carga a la pieza que se graba, lo que induce un componente direccional al proceso de grabado. Esta direccionalidad del grabado permite que los tamaños de las características de grabado sean significativamente más pequeños, por lo que se utilizan comúnmente en la industria de los semiconductores.

Principios funcionales del grabado iónico reactivo

El grabado iónico reactivo (RIE) es un proceso de grabado por plasma que utiliza una carga para agregar un componente direccional al proceso de grabado. Este proceso de grabado iónico reactivo (RIE) produce una carga en la pieza. Cuando la pieza está cargada, el componente de grabado del plasma mantiene una carga opuesta, lo que da como resultado una colisión direccional del componente de grabado en la pieza. El grabado resultante es direccional, lo que permite un tamaño de características mucho más pequeño. El grabado iónico reactivo (RIE) también permite a los fabricantes grabar a mayor velocidad que los métodos de grabado tradicionales.

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Estrategia de limpieza y grabado por plasma

Industrias y usos del grabado iónico reactivo

  • Industria de dispositivos médicos: El grabado iónico reactivo (RIE) se utiliza para procesar materiales con propiedades que dificultan el grabado.
  • Industria de semiconductores: El grabado iónico reactivo (RIE) se aplica en la fabricación de circuitos integrados.
  • Industria de sensores: El grabado iónico reactivo (RIE) permite reducir el tamaño de las características y procesar materiales de grabado lento.
  • Industria solar: El grabado iónico reactivo (RIE) facilita la fabricación de materiales exóticos que son difíciles de procesar o grabar a través de métodos estándares.

Sistemas de grabado iónico reactivo populares

Reactive Ion Etching

Femto Version 6

Control Cabinet:
W 560 mm H 560 mm D 420 mm

Chamber:
Ø 3.9 in, L 10.9 in

Chamber Volume:
2

Gas Supply:
1 gas channel via needle valve

Generator:
1 pc. with 40 kHz
(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:
Semi-Automatic

Plasma Coating

Pico Version 7

Control Cabinet:
W 600 mm H 1700 mm D 800 mm

Chamber:
Ø 5.9 in, L 12.6 in

Chamber Volume:
5

Gas Supply:
Mass flow controllers

Generator:
1 pc. with 40 kHz
(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:
PC

Plasma Coating

Tetra 100 PC

Control Cabinet:
W 600 mm H 1700 mm D 800 mm

Chamber:
W 15.8" x H 15.8" x D 24.6"

Chamber Volume:
100

Gas Supply:
Mass flow controllers

Generator:
1 pc. with 40 kHz
(optional: 13.56 MHz or 2.45 GHz)

Control:
PC

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